金属学报

作者：黄明亮, 王胜博, 尤海潮, 刘厚麟, 任婧, 黄斐斐

单位：大连理工大学 材料科学与工程学院 电子封装材料实验室 大连 116024

关键词：电子封装,芯片互连,锡基微凸点,电迁移,可靠性,

基金：国家自然科学基金项目(52350321);国家自然科学基金项目(U1837208);中国博士后科学基金项目(2024M750313)

随着先进封装技术向微型化、高性能方向发展，集成电路芯片锡基微凸点的直径持续减小至微米尺度，通过单个凸点的电流密度随直径减小呈平方增加，其电迁移行为与机理研究对集成电路芯片互连可靠性评估与设计具有重要价值。本文归纳分析了芯片互连微凸点(焊点)电迁移现象的物理本质、主要影响因素和研究方法；系统综述了微焊点固-固电迁移过程中的极性效应、反极性效应和两相分离等电迁移行为特征与液-固电迁移过程中原子迁移、相析出和相溶解等电迁移行为特征；梳理评价了电迁移寿命的评估模型及修正模型；最后阐明了微焊点电迁移可靠性提升的方法，并展望了集成电路芯片互连锡基微凸点电迁移未来的研究方向和可靠性分析方法。

来源：2025年第7期

《金属学报》期刊编辑部

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